加入收藏在线咨询
位置:主页 > 娱乐活动 >

研讨发现:俄歇复合是LED功率下降的祸首

作者:利来国际平台时间:2018-04-16 06:23浏览:

  

  美国加州大学圣塔芭芭拉分校(UCSB)的研讨团队声称经过榜首原理核算发现,关于以氮化钾(GaN)为主的发光二极管(LED),俄歇复合(Auger recombination)是其功率下降(LED droop)与绿色缺口(green gap)的主要原因,惋惜并未一起提出有用的解决办法。

  LED droop是指在较高电流操作下,发光二极管的外部量子功率会下降。UCSB的Kris DELaney, Patrick Rink及Chris Van deWalle核算显现,功率下降的祸首是俄歇复合,它是一种非辐射式的复合行为,在2.5eV(对应波长为0.5 μm)时到达极峰。这一起也解说了“绿色缺口”——即波长从蓝光进入绿光波段时,LED的量子功率会下降的由来。

  稍早LED制造商Philips Lumileds依据试验成果建议,研讨发现:俄歇复合是俄歇复合是在较高电流下功率下降的主因,这种非辐射式复合进程牵涉到三个载子的交互作用,其间至少包含一个电子与一个空穴。UCSB的核算成果支撑这种说法,而不像其它理论研讨团队以为俄歇复合关于LED droop的影响能够疏忽,个中的差异在于选用不同的氮化物能带结构:UCSB团队找到第二条导带(conduction band),并归入核算中。

  


图片显现的是在一个InGaN晶体内不同的再复合进程

  UCSB团队的氮化镓能带结构是使用密度泛函理论(density-functional theory)结合多体微扰理论(many-body perturbation theory)所核算得到。接着他们选用蒙特卡洛(Monte Carlo)法,核算了超越4千万个过程的核算均匀,才得到俄歇复合速率。

  


UCSB研讨团队榜首原理核算成果

  跟着LED droop的机制被发现,未来的研讨方向将聚集于去除或下降俄歇复合所形成的丢失。UCSB团队在论文中评论了三种下降丢失的办法,但都有缺陷。LED功率下降的祸首其间一个办法是将氮化钾长成闪锌矿(zinc-blende)晶格结构而非一般的纤锌矿(wurtzite)结构,由于这能够将第二条导带推到能量较高的方位,可是要长出高质量的闪锌矿结构并非易事。其它作法包含使用应力或是改动InGaAlN的份额去调整能带结构,不过核算显现,这些改变都不会显着提高LED的体现。

电话:
传真:
邮编:
地址:珠海利来国际平台科技股份有限公司