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研讨发现混合奈米晶体LED规划可抑制功率下降

作者:利来国际平台时间:2018-04-23 03:17浏览:

  

  来自南京大学(NJU)的研讨人员们选用一种混合奈米晶体的途径,在氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)蓝光LED结构的奈米孔洞中填充奈米晶体,据称可大幅进步白光LED的功率。

  他们在发布于《使用物理快报》(Applied Physics Letters)的研讨中指出,进步颜色变换功率(CCE)的要害取决于有用的非辐射谐振能量转移,而不是在结合蓝光InGaN/GaNLED与向下变换资料(如磷或乃至半导体奈米晶体(NC)等)时常常发作的辐射泵。

  非辐射共振能量变换(NRET)有赖于强壮的激子-激子耦合。透过载子活动的形式,研讨人员发现NRET可以免于因中介光源放射与变换过程形成的损耗,并以非辐射和谐振的方法将能量变换并谐振至具有更高量子率的奈米晶体。

  研讨人员选用金属有机化学气相堆积法,ED规划可抑制功率下降在c平面图画化蓝宝石基底上成长InGaN/GaN MQW外延晶圆,研讨发现混合奈米晶体L制作出具有蓝色奈米孔洞(NH)结构的NH-LED,每个LED的有用面积为300×300μm^2。

  使用软UV固化奈米压印微影技能,公园LED大屏观看奥运竞赛便利,在自动层上进行图画化,完成直径为300nm、距离约600nm的六边形奈米孔洞晶格。接着,研讨人员将CdSe/ZnS中心/壳奈米晶体溶液的液滴涂布于该元件上。

  

  LED裸晶(a)与混合InGaN/GaN NH-LED(b)的SEM影像图,显现该元件结构具有奈米晶体或无法米晶体的形状。进一步放大为(c)和(d)。图1(e)显现暴露的六边形奈米孔洞晶格,而图1(f)则显现CdSe/ZnS中心/壳5nm奈米晶体以10nm直径严密封装的SEM图。

  研讨人员们在制作具有CdSe/ZnS中心/殻NC填充的蓝色InGaN/GaN奈米孔洞LED时,他们还调查并剖析到的另一种作用是按捺功率下降——在很多注入电流密度时将在自动区域产生过的载子活动,下降了该元件的全体功率。

  透过剖析作为控制元件的LED裸晶及其混合NH-LED中的InGaN/GaNMQW载流子浓度,研讨:LED灯具可为全国教室照下一,研讨人员发现混合NH-LED中的载子浓度可透过NRET下降,然后按捺功率下降。此外,研讨人员还在混合NH-LED中调查到奈米晶体放射的量子功率为44%,较无法米孔洞图画的混合LED更高2倍。在这种混合结构中,他们注意到NH-MQW层的激子经过NRET通道的时机更大,2008年OLED面板商场与资料技术发展而NRET衰减率则均匀地较奈米孔洞MQW LED裸晶更快3-4倍。

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